Intel se propone multiplicar por 10 la densidad de empaquetado de los procesadores en 2025
El fabricante de procesadores Intel ha hecho públicos sus planes para desarrollar nuevas tecnologías con las que sea posible multiplicar por más de diez la densidad de empaquetado de los chips, algo que espera que se materialice en el año 2025.
Intel se ha propuesto acelerar la innovación en semiconductores más allá de la Ley de Moore, que expresa que cada dos años se duplica el número de transistores en un microprocesador, como ha anunciado en su participación en el evento IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2021, centrado en los avances tecnológicos en dispositivos y en procesadores.
Para lograr este objetivo, el fabricante ha anunciado avances en materia de empaquetado de procesadores con los que espera que la densidad pueda multiplicarse por más de diez de cara al año 2025, por encima de lo que estipula la Ley de Moore.
Intel ya había dado a conocer anteriormente su intención de lanzar Foveros Direct, que permite realizar 'bump pitches' de menos de 10 micras, con más densidad de interconexión para el apilamiento 3D. También ha pedido que se establezcan nuevos estándares industriales que permitan un ecosistema de 'chiplets' de unión híbrida.
Entre el resto de avances, el fabricante ha desvelado un nuevo enfoque de apilamiento de transistores múltiples (CMOS) que tiene como objetivo lograr una mejora maximizada del 30 al 50 por ciento en el escalado lógico. Esto permite la colocación de más transistores por milímetro cuadrado.
Otras novedades de Intel se centran en el desarrollo de nuevas capacidades para mejorar los chips de silicio clásicos, con tres nuevas tecnologías que espera que lleguen al mercado en los próximos años.
Una de ellas es la primera integración de interruptores de alimentación basados en redes generativas antagónicas (GaN) con CMOS basados en silicio en una oblea de 300mm. Esto hace posible un suministro de energía de baja pérdida y alta velocidad a las CPU, al tiempo que se reducen los componentes y el espacio de la placa base.
Otro avance es la capacidad de lectura y escritura de baja latencia, que utiliza nuevos materiales ferroeléctricos para una posible tecnología DRAM integrada de próxima generación que puede ofrecer mayores recursos de memoria para hacer frente a aplicaciones informáticas desde el 'gaming' hasta la inteligencia artificial.
La tercera de las innovaciones se centra en los avances que espera que permitan un "rendimiento masivo" en la informática cuántica basada en transistores de silicio.
Europa Press
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